大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质měi)光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(ch牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质á)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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