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娜能组成什么词,娜字能组什么词语

娜能组成什么词,娜字能组什么词语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突(tū)发消息。

  美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安(ān)全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī),我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán),是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称,为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全,防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分析,如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额(é)提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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